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时变谐振缺陷电位对半导体传输特性超晶格的影响.pdf

日期:2019-10-08 11:23
摘要
摘要
在本文中,我们首先介绍半导体超自然的基本理论。
第二,我们
使用格林单粒子函数的形式计算系统位置的格林函数。
该系统是由施加的电场驱动的闭合链路模型。
通过Green的功能获得局部状态的密度。
我们还研究了在均匀电场驱动的超晶格中使用缺陷势的紧密耦合模型。
潜在缺陷随时间而变化。
在u(r,f)的框架中获得与时间相关的系统
也是表达。
通过该解析表达式,给出了更多的数值计算。
逐步找出该系统中局部状态的密度,或者改变系统中的各种参数以检查局部区域。
状态密度取决于参数。
局部状态密度的计算表示清漆树皮中的共振状态
他们之间有一种新的状态。
最后,我们使用数值方法来研究该系统的动力学。
进化学习
关键词:Floquet-Green函数可能性状态缺陷局部密度的动态演化
摘要
OT
在你的心中,在导游或没有司机
学位论文,超静定学
一直
Int.Oduced.Then,gonal component
什么
从无知
Singlesystemtight_binding
粒子
它来自外部电场。

绿色到ncción.Wedc倾斜模型
通过研究:粘合

独特的思考
这就是为什么我一直在研究eworkun方法。
系统管理((1

继续治疗获得的条件。
取决于表达密度
10cal数值计算功能
弗洛凯 - Greenapproach.El
ofstathehebeenlocaJof
密集通过给定的表达。
这演示了作为函数的局部状态的行为
系统
它的特点是VebeenThe


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